GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究  

Study of Transient Surface Phase Transition on GaAs (100) During MBE Growing

作　　者：刘兴权[1] 陆卫[1] 马朝晖[1] 陈效双[1] 乔怡敏[1] 万明芳[1] 沈学础[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第6期408-411,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从C（4×4）到α（2×4）的连续相变过程，进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况．This paper discusses the transient process of surface phase transition during MBE growing on GaAs (100) substrate by observing the intensity changing of specular line of RHEED pattern. The different intensity changing during growing shows the dynamic process of surface transition directly.

关 键 词：砷化镓 分子束外延 同质外延 表面相变 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]