刘兴权

作品数：27被引量：33H指数：3
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：砷化镓ALGAASGAAS分子束外延红外探测器更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《科学通报》《计算物理》《量子电子学报》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家杰出青年科学基金国家攀登计划更多>>
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GaAs/SrTiO_3 MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2000年第3期185-187,共3页陈益栋 刘兴权 李志锋 陆卫 沈学础 
国家自然科学基金!(编号 :697760 1 8);国家攀登计划资助项目&&
利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了 Ga As/ Sr Ti O3外延单晶薄膜样品 ,研究了这种新型异质结构的晶格振动光学特性 .实验结果表明 :在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3衬底上外延生长的 Ga As薄膜具有单晶结构 ,有与 Ga
关键词：砷化镓 钛酸锶 外延生长 单晶薄膜 晶格振动 
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较被引量：5
《Journal of Semiconductors》2000年第5期441-444,共4页李娜 李宁 陆卫 窦红飞 陈张海 刘兴权 沈学础 H.H.Tan LanFu C.Jagadish M.B.Johnston M.Gal 
国防科工委重点资助项目
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材...
关键词：ALGAAS 量子阱 红外探测器 MOCVD 砷化镓 
单量子阱线的Raman谱
《科学通报》2000年第13期1379-1383,共5页李乐愚 张树霖 李志峰 刘兴权 陆卫 沈学础 
国家自然科学基金!(批准号:19774009;69476037;69876001);科学技术部九五攀登计划;中国科学院红外物
利用显微Ｒａｍａｎ谱测量了Ｖ型槽量子阱线，观察和指认了来自单根量子阱线的Ｒａｍａｎ谱，它们是位于２２３和２４３ｃｍ的无序激活峰，位于２６７ｃｍ的量子阱线的ＧａＡｓ限制纵光学模，以及位于４８８和７０７ｃｍ的无序激活峰的...
关键词：量子阱线 RAMAN光谱 砷化镓 无序激活峰 
V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究
《物理学报》2000年第9期1809-1813,共5页李志锋 陆卫 刘兴权 沈学础 Y.FU M.WILLANDER H.H.TAN C.JAGADISH 
上海市青年科技启明星项目! (批准号 :98QA14 0 0 4);国家重点基础研究发展规划项目!(批准号 :G19980 614 0 4)&&
在室温下用显微光致发光的方法对单根V形GaAs/AlGaAs量子线进行了沿垂直于量子线方向的空间分辨扫描测试 ,观察到各种量子结构的光致发光谱随空间位置的变化 .在量子线区域附近观察到来自量子线 (QWR)、颈部量子阱 (NQWL)和垂直量子阱 (...
关键词：V形 ALGAAS 量子线 显微光致发光 砷化镓 
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第3期264-267,共4页李宁 刘兴权 李娜 陈效双 陆卫 徐文兰 袁先璋 沈学础 黄绮 周均铭 
国家自然科学基金;中澳合作项目
应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8～ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga
关键词：量子阱 红外探测器 快速退火 砷化镓 ALGAAS 
GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究被引量：2
《红外与毫米波学报》2000年第1期67-70,共4页陈益栋 刘兴权 陆卫 乔怡敏 王贤仁 
国家自然科学基金!(编号 697760 1 8);国家杰出青年基金!(编号1 952 540 9)
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致...
关键词：分子束外延 砷化镓 半导体 ALGAAS 
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响被引量：3
《红外与毫米波学报》2000年第1期25-28,共4页李娜 陆卫 李宁 刘兴权 袁先漳 窦红飞 沈学础 FU Lan Tan H H C Jagadish M B Johnston M Gal 
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件...
关键词：质子注入 快速退火 量子阱红外探测器 
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整被引量：1
《量子电子学报》2000年第1期31-35,共5页李娜 李宁 陆卫 刘兴权 窦红飞 沈学础 Fu Lan Tan H H Jagadish C Johnston M B Gal M 
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量（５ｘ１０４～５ｘ１０１５ｃｍ２）的增加从...
关键词：质子注入 快速退火 砷化镓 红外探测器 
GaAs/SrTiO_3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究被引量：2
《物理学报》1999年第9期1718-1722,共5页陈益栋 刘兴权 陆卫 史国良 沈学础 Q.X.ZHAOM.WILLANDER 
报道了在钙钛矿型结构的 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的 Ｇａ Ａｓ半导体单晶薄膜．应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了 Ｇａ Ａｓ 半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的 Ｇａ Ａｓ 体材料特性进行了对...
关键词：砷化镓 带间跃迁 半导体 单晶 薄膜 
固体中结晶过程在函数最小值求解中的应用被引量：1
《计算物理》1999年第2期141-144,共4页陆卫 陶凤翔 穆耀明 陈效双 李宁 刘兴权 刘京郊 沈学础 陆红 
国家自然科学基金;攀登项目资助
探讨了固体中结晶过程在求解函数最小值问题上的应用。提出了一种对函数参量进行合理“搅拌”的方法，实现对函数最小值的求解。同时又使函数的最小值求解过程与初始值无关，并使计算量较小。
关键词：优化算法 最小值 固体 结晶过程 函数 
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