王贤仁

作品数：7被引量：13H指数：3
导出分析报告
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题：氧传感器YSZ半导体INGAASP/INP异质结更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学冶金工程更多>>
发文期刊：《仪表技术与传感器》《高等学校化学学报》《功能材料》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究被引量：2
《红外与毫米波学报》2000年第1期67-70,共4页陈益栋 刘兴权 陆卫 乔怡敏 王贤仁 
国家自然科学基金!(编号 697760 1 8);国家杰出青年基金!(编号1 952 540 9)
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致...
关键词：分子束外延 砷化镓 半导体 ALGAAS 
限流型氧传感器被引量：5
《仪表技术与传感器》1998年第8期5-6,13,共3页王贤仁 王德君 高强 陈艳 揣晓红 马燕 谭万林 吴志芸 
制作了具有快速响应和高度灵敏特点的限流型氧传感器，传感器再现性好，功耗小（＜５ｍＷ），在使用氧浓度范围（０～１０％）内输出线性良好。氧传感器应用温度范围是６８０～８００℃，最佳使用温度是７５０℃。
关键词：氧传感器 固体电解质 电化学 传感器 限流型 
测量InGaAsP/InP异质界面的化学斜面法
《吉林大学自然科学学报》1993年第4期53-56,共4页卢革宇 王贤仁 苗忠礼 关一民 程强 
本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响.
关键词：化学斜面法 界面 异质结 半导体 
InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量
《吉林大学自然科学学报》1993年第3期61-63,共3页卢革宇 王贤仁 苗忠礼 程强 关一民 
本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.
关键词：界面 双晶衍射 X射线 异质结 
锰、钴、镍钨硅杂多酸盐的合成及性质研究被引量：3
《高等学校化学学报》1992年第11期1428-1431,共4页王俊 吴志芸 张恒彬 赵仲清 王贤仁 魏诠 
国家自然科学基金
对3种过渡金属钨硅杂多酸钾盐的组成及性质进行了研究,与12-钨硅酸钾比较表明,在Keggin阴离子骨架中,以空位或过渡金属Mn^(2+)、Co^(2+)、Ni^(2+)取代一个W^(6+)后,其W—O、Si—O键振动吸收频率、组成元素内层电子结合能、W—O多面体的...
关键词：钨 硅 杂多化合物 过渡元素 
片式ZrO_2氧浓差电池的制作及其特性研究被引量：1
《功能材料》1991年第4期199-201,共3页王贤仁 王启元 王德君 胡春 谭万林 姜秀英 吴志芸 
采用共沉淀方法制备YSZ粉料,经低温(1300℃)烧结,得到圆片状YSZ烧结体(Y_2O_3含量8mol%),采用热分解法涂制铂电极,采用新颖的热辐射压封法实现电解质圆片与Al_2O_3管封接,制成了氧浓差电池,测量了固体电解质的密度、电导率以及不同温度...
关键词：ZnO2 氧传感器 氧浓差电池 封接 
低温烧结YSZ的显微结构和直流电导特性被引量：3
《功能材料》1991年第3期156-159,174,共5页王贤仁 王德君 王启元 胡春 谭万林 姜秀英 吴志芸 
采用共沉淀方法合成 YSZ 微细粉料,经低温(1573K)烧成具有较高密度和较低气孔率的 YSZ 烧结体,测量了烧结体的组成、结构、密度和直流电导率,并通过对粉料形貌和烧结体的显微结构考察,总结和探索了粉料制备、坯体成型及烧结条件对材料...
关键词：YSZ 烧结体 显微结构 电导特性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部