陈益栋

作品数：4被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：GAAS砷化镓SRTIO单晶薄膜半导体更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家攀登计划更多>>
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GaAs中Be受主的光热电离光谱研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2000年第5期385-388,共4页袁先漳 陆卫 史国良 陈益栋 陈张海 李宁 沈学础 
国家自然科学基金!(编号 196740 60 )资助项目&&
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果...
关键词：浅杂质 受主 光热电离光谱 砷化镓 半导体 铍 
GaAs/SrTiO_3 MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2000年第3期185-187,共3页陈益栋 刘兴权 李志锋 陆卫 沈学础 
国家自然科学基金!(编号 :697760 1 8);国家攀登计划资助项目&&
利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了 Ga As/ Sr Ti O3外延单晶薄膜样品 ,研究了这种新型异质结构的晶格振动光学特性 .实验结果表明 :在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3衬底上外延生长的 Ga As薄膜具有单晶结构 ,有与 Ga
关键词：砷化镓 钛酸锶 外延生长 单晶薄膜 晶格振动 
GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究被引量：2
《红外与毫米波学报》2000年第1期67-70,共4页陈益栋 刘兴权 陆卫 乔怡敏 王贤仁 
国家自然科学基金!(编号 697760 1 8);国家杰出青年基金!(编号1 952 540 9)
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致...
关键词：分子束外延 砷化镓 半导体 ALGAAS 
GaAs/SrTiO_3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究被引量：2
《物理学报》1999年第9期1718-1722,共5页陈益栋 刘兴权 陆卫 史国良 沈学础 Q.X.ZHAOM.WILLANDER 
报道了在钙钛矿型结构的 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的 Ｇａ Ａｓ半导体单晶薄膜．应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了 Ｇａ Ａｓ 半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的 Ｇａ Ａｓ 体材料特性进行了对...
关键词：砷化镓 带间跃迁 半导体 单晶 薄膜 
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