光热电离光谱

作品数：11被引量：2H指数：1
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高纯锗中浅受主的光热电离光谱
《物理学报》2008年第2期1097-1101,共5页余晨辉 张波 余丽波 李亚军 陆卫 沈学础 
国家自然科学基金(批准号:10474107);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题.~~
在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的...
关键词：高纯锗 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级 
高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
《物理学报》2008年第2期1102-1108,共7页余晨辉 张波 余丽波 李亚军 陆卫 沈学础 
国家自然科学基金(批准号:10474107);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题.~~
首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿...
关键词：高纯硅 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级 少数载流子快速复合 
GaAs中Be受主的光热电离光谱研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2000年第5期385-388,共4页袁先漳 陆卫 史国良 陈益栋 陈张海 李宁 沈学础 
国家自然科学基金!(编号 196740 60 )资助项目&&
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果...
关键词：浅杂质 受主 光热电离光谱 砷化镓 半导体 铍 
气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第5期337-343,共7页张溪文 阙端麟 石晓红 沈学础 
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不...
关键词：气氛掺氮 硅单晶 氮关施主 施主 光热电离光谱 
外延Si—xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱
《物理学报》1997年第2期370-374,共5页石晓红 刘普霖 
在Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金外延层中利用光热电离光谱方法观察到了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中浅施主磷的２ｐ±及３ｐ±的分立谱线，并根据有效质量近似理论估算了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中磷施主的电离能为４５．５１ｍｅＶ。...
关键词：硅锗合金 浅施主磷 半导体 光热电离光谱 
磁场下硅中硼受主的光热电离光谱
《红外与毫米波学报》1996年第2期98-102,共5页石晓红 刘普霖 陈张海 史国良 沈学础 
用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在０～１１Ｔ磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明：由于价带的复杂性、浅受主的基态和激发态在磁场下简并的解除以及大的空穴有效质量。
关键词：光热电离光谱 浅受主 硅 半导体 
含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
《红外与毫米波学报》1991年第5期327-331,共5页胡灿明 黄叶肖 叶红娟 沈学础 祁明维 邬建根 李晓雷 
报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表...
关键词：直拉硅 复合浅施主 光热电离谱 硅 
硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
《Journal of Semiconductors》1991年第6期332-337,共6页胡灿明 黄叶肖 沈学础 
本文报道掺磷浓度为10^(13)cm^(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.
关键词：光热电离光谱 半导体 杂质 硅 掺磷 
高纯硅中新的浅施主中心
《红外研究》1990年第1期67-72,共6页俞志毅 黄叶肖 沈学础 
报道了N型高纯区熔硅单晶的高分辨率光热电离光谱(PTIS),观察到2个新的谱线系列。结果表明新的谱线系列可能与2个“类氢”复合型浅施主中心(NSD)有关,其浓度低达～10~9cm^(-3),电离能分别为36.61meV和36.97meV。另外,对P和NSD(1)都观察...
关键词：高纯硅 剩余浅施主 复合型杂质中心 光热电离光谱 半导体 
超纯半导体的高分辨率光热电离光谱
《科学通报》1990年第3期173-176,共4页俞志毅 黄叶肖 朱景兵 陆卫 沈学础 Eugene E.Haller 
一、引言 超纯半导体不仅在核辐射及红外辐射探测等方面有重要应用,而且对半导体浅杂质态研究亦具有积极意义。由于超纯半导体中浅杂质含量极微,所有传统的杂质检测方法已难以探测和识别,因此很有必要发展相应的高灵敏度检测手段。
关键词：超纯半导体 光热电离光谱 浅杂质 
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