外延Si—xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱  

作　　者：石晓红[1] 刘普霖[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

出　　处：《物理学报》1997年第2期370-374,共5页Acta Physica Sinica

摘　　要：在Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金外延层中利用光热电离光谱方法观察到了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中浅施主磷的２ｐ±及３ｐ±的分立谱线，并根据有效质量近似理论估算了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中磷施主的电离能为４５．５１ｍｅＶ。与硅相比，由于合金的无序效应，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的分立谱线发生明显展宽。

关 键 词：硅锗合金 浅施主磷 半导体 光热电离光谱 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]