胡灿明

作品数：10被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：二维电子气异质结半导体砷化镓硅更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《量子电子学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟
《Journal of Semiconductors》1998年第6期447-451,共5页陈张海 陈忠辉 刘普霖 石晓红 史国良 胡灿明 沈学础 
本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．
关键词：LO声子 掺杂 半导体 光电导响应 
赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究
《物理学报》1998年第6期1018-1025,共8页陈张海 胡灿明 陈建新 史国良 刘普霖 沈学础 李爱珍 
国家自然科学基金
采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．...
关键词：铟镓砷 铟铝砷 电子气 异质结构 回旋共振光谱 
GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合被引量：1
《物理学报》1998年第3期494-501,共8页陈张海 胡灿明 刘普霖 史国良 沈学础 
采用栅压比谱技术，在相对较低的磁场下，观察到ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气第零子能带的Ｎ＝１Ｌａｎｄａｕ能级与高达第五子能带的Ｎ＝０Ｌａｎｄａｕ能级的共振耦合现象，由此精确测量了各子能带能量间距，并与自洽的...
关键词：电子气 能带 砷化镓 铝镓砷 异质结 能级耦合 
GaAs中由磁场引起的与Si施主有关的高亚稳态
《Journal of Semiconductors》1997年第11期806-810,共5页陈张海 陈忠辉 刘普霖 史国良 胡灿明 石晓红 沈学础 
本文报道了GaAs中Si浅施主的博里叶变换红外（FTIR）磁光电导谱．观察到非零磁场下从类氢束缚基态到施主高亚稳态的跃迁．采用变分方法计算了跃迁能量以及这些高亚稳态的离化能的磁场关系，并与实验结果进行了比较．
关键词：砷化镓 硅 浅施主 高亚稳态 
GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气的回旋共振研究被引量：2
《红外与毫米波学报》1997年第2期107-113,共7页陈张海 胡灿明 刘普霖 史国良 陆卫 张波 石晓红 沈学础 
国家自然科学基金
采用栅压比谱的方法，研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气（２ＤＥＧ）的回旋共振。观察到由于子能带－朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为．由回旋共振频率ωｃ确定了子能带电子的回旋共振有效质量ｍ＊...
关键词：异质结 二维电子气 回旋共振 砷化镓 能带 
准二维电子系统的远红外栅压比谱被引量：1
《红外与毫米波学报》1997年第2期114-120,共7页胡灿明 陈张海 史国良 陆卫 张波 石晓红 刘普霖 沈学础 
中国科学院留学回国人员择优支持经费资助
讨论应用快扫描傅里叶变换光谱仪研究异质结表面及量子阱中二维电子气的高频动力学性质，利用制备有金属栅极的异质结样品的肖特基场效应特性，通过光谱仪控制栅压门电源交替选择栅压扫描，获得了二维电子气的吸收栅压比谱，由此观察到...
关键词：二维电子气 红外激发 异质结 半导体 
半导体磁光理论和红外磁光光谱研究进展被引量：1
《量子电子学报》1997年第2期97-110,共14页刘普霖 石晓红 陈张海 胡灿明 史国良 陆卫 沈学础 
本文主要报告我们近几年在发展磁光光谱实验技术、研制红外磁光测试系统和通过红外磁光光谱研究HgCdTe、GaAs、Si等半导体的能带结构、杂质缺陷、声子及其它元激发行为等工作中取得的成果，同时对有关理论作一般性介绍。
关键词：磁光光谱 能带结构 杂质缺陷 元激发 半导体 
Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7+δ)的红外反射谱
《物理学报》1992年第8期1345-1352,共8页叶红娟 冉中原 胡灿明 田是映 刘竞青 黄叶肖 赵忠贤 
测量了温度范围为4.2—300K的Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7+δ)(x=0,0.1,0.2,0.4,0.5,0.61.0)的红外反射谱,发现在低温下Ba模有双模行为,随着x值增大双模强度反转,在YBa_2Cu_3O_(7-δ)中已被判定为Y模的位于194cm^(-1)的反射峰的位置与Pr的...
关键词：高TC 超导体 红外反射谱 元素替代 
含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
《红外与毫米波学报》1991年第5期327-331,共5页胡灿明 黄叶肖 叶红娟 沈学础 祁明维 邬建根 李晓雷 
报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表...
关键词：直拉硅 复合浅施主 光热电离谱 硅 
硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
《Journal of Semiconductors》1991年第6期332-337,共6页胡灿明 黄叶肖 沈学础 
本文报道掺磷浓度为10^(13)cm^(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.
关键词：光热电离光谱 半导体 杂质 硅 掺磷 
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