半导体磁光理论和红外磁光光谱研究进展  

Magneto-optics Theory Infrared Magneto-Spectroscopy of Semiconductors

作　　者：刘普霖[1] 石晓红[1] 陈张海[1] 胡灿明[1] 史国良[1] 陆卫[1] 沈学础[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《量子电子学报》1997年第2期97-110,共14页Chinese Journal of Quantum Electronics

摘　　要：本文主要报告我们近几年在发展磁光光谱实验技术、研制红外磁光测试系统和通过红外磁光光谱研究HgCdTe、GaAs、Si等半导体的能带结构、杂质缺陷、声子及其它元激发行为等工作中取得的成果，同时对有关理论作一般性介绍。In this review paper, we report the recent developments of infrared magnetc spectroscopy technology and the novel investigations into band structures, impurities,defects and element excitation of semiconductors HgCdTe,GaAs,Si, etc.in our group. Furthermore, the magneto-optics theory of semiconductors is introduced briefly.

关 键 词：磁光光谱 能带结构 杂质缺陷 元激发 半导体 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理] O433[理学—物理]