邬建根

作品数：14被引量：11H指数：2
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发文主题：硅快速热退火离子注入热退火P-N结更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程天文地球更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《应用科学学报》《红外与毫米波学报》更多>>
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硅中氧的FTIR研究
《红外与毫米波学报》1992年第4期327-330,共4页马碧兰 朱景兵 邬建根 张继昌 周寿通 屈逢源 
红外物理国家重点实验室部分资助课题
对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.
关键词：硅 氧 红外辐射 
现场光热光谱法研究银电极行为被引量：3
《化学学报》1992年第4期372-377,共6页江志裕 向阳 王江涛 邬建根 时炳文 沈寿彭 
国家自然科学基金资助项目
利用聚偏二氟乙烯(PVDF)热释电膜作为热传感器,本文首次独立设计了现场光热光谱研究用的电解池,对电解池的光热信息进行了理论分析,并用该法研究了碱性溶液中银电极表面氧化层的性质。从光谱的变化证实:Ag表面Ag_2O层的生成与循环伏安...
关键词：银电极氧化层 现场 光热光谱 
含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
《红外与毫米波学报》1991年第5期327-331,共5页胡灿明 黄叶肖 叶红娟 沈学础 祁明维 邬建根 李晓雷 
报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表...
关键词：直拉硅 复合浅施主 光热电离谱 硅 
SiC_xN_y:H薄膜的FTIR研究
《红外与毫米波学报》1991年第4期253-258,共6页郭慧 张伟 朱景兵 苏诚培 邬建根 王季陶 屈逢源 
红外物理国家重点实验室部分资助课题
用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜...
关键词：SiCxNy:H 薄膜 FTIR PECVD 
部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低被引量：1
《固体电子学研究与进展》1991年第4期307-312,共6页郑国祥 周寿通 屈逢源 邬建根 郑凯 
为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.
关键词：导体器件 工艺 PN结 反向电流 
金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用被引量：2
《应用科学学报》1991年第3期263-268,共6页郑国祥 周寿通 邬建根 王昌平 屈逢源 丁志发 
以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10p...
关键词：硅 金属 杂质 分凝 磷吸除 
硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法被引量：1
《稀有金属》1991年第6期465-467,共3页马碧兰 邬建根 屈逢源 朱景兵 张继昌 
硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅...
关键词：硅 载流子浓度 载流子吸收法 
高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收
《稀有金属》1991年第3期187-189,共3页张继昌 邬建根 马碧兰 屈逢源 朱景兵 
高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值...
关键词：硅晶体 快速热退火 红外吸收 
离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器被引量：3
《Journal of Semiconductors》1990年第12期915-921,共7页郑国祥 邬建根 王昌平 朱景兵 屈逢源 周寿通 
国家自然科学基金会;上海市科委的资助
采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。
关键词：光电探测器 离子注入 热退火 
快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流被引量：4
《固体电子学研究与进展》1990年第4期369-373,共5页郭慧 邬建根 沈孝良 屈逢源 金辅政 张建平 朱景兵 
国家自然科学基金委员会;上海市科委的资助
快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.
关键词：热退火 铝合金 P-N结 漏电流 硅 
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