硅中氧的FTIR研究  

FTIR STUDY OF OXYGEN IN SILICON

作　　者：马碧兰 朱景兵 邬建根[1] 张继昌[3] 周寿通 屈逢源 

机构地区：[1]复旦大学物理系,上海200433 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海200083 [3]同济大学物理系,上海200092 [4]上海无线电十七厂,上海200010

出　　处：《红外与毫米波学报》1992年第4期327-330,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：红外物理国家重点实验室部分资助课题

摘　　要：对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.Silicon crystals of different oxygen contents have been investigated by means of infrared absorption spectroscopy at 300K and 4.2K. It is seen from the experiments that the absorption band at 1127cm^(-1)at low temperatures (80~4.2K) is due to oxygen absorp- tion.

关 键 词：硅 氧 红外辐射 

分 类 号：TN211[电子电信—物理电子学]