快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流  

Decrease of the Leakage Current in the Silicon p^+-n Junction by Rapidly Thermal Annealing Al Alloy

作　　者：郭慧[1] 邬建根[1] 沈孝良[1] 屈逢源 金辅政 张建平 朱景兵 

机构地区：[1]复旦大学物理系 [2]上海无线电十七厂 [3]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1990年第4期369-373,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金委员会;上海市科委的资助

摘　　要：快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.This paper describes a technique of the rapidly thermal annealing Al alloy to decrease the leakage current in B-diffused silicon p+-n junction. X-ray diffraction experiment shows that Al atoms can compensate the strains in the silicon wafers produced by B diffusion and improve the crystalline perfection.

关 键 词：热退火 铝合金 P-N结 漏电流 硅 

分 类 号：TN305.4[电子电信—物理电子学]