部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低  

Reduction of the Reverse Current in pn Junction by an Improved Partly Perfect Crystal Device Technique(PCDT)

作　　者：郑国祥[1] 周寿通 屈逢源 邬建根[1] 郑凯[1] 

机构地区：[1]复旦大学物理系,上海200433 [2]上海无线电十七厂,200010

出　　处：《固体电子学研究与进展》1991年第4期307-312,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.The reduction of the reverse current in pn junction is achieved by a series of PCDT. Authors have improved gettering technique, stress compensation technique and etc., to obtain further reduction of the reverse current.

关 键 词：导体器件 工艺 PN结 反向电流 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]