高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收  

作　　者：张继昌[1] 邬建根[2] 马碧兰 屈逢源 朱景兵 

机构地区：[1]同济大学 [2]复旦大学 [3]中国科学院红外物理国家实验室

出　　处：《稀有金属》1991年第3期187-189,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。

关 键 词：硅晶体 快速热退火 红外吸收 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]