GaAs/SrTiO_3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究  

STUDY OF THE INTER\|BAND TRANSITION OF THE GaAs SINGLE\|CRYSTAL FILM ON SrTiO\-3 SUBSTRATE BY MBE

作　　者：陈益栋[1] 刘兴权[1] 陆卫[1] 史国良[1] 沈学础[1] Q.X.ZHAOM.WILLANDER 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《物理学报》1999年第9期1718-1722,共5页Acta Physica Sinica

摘　　要：报道了在钙钛矿型结构的 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的 Ｇａ Ａｓ半导体单晶薄膜．应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了 Ｇａ Ａｓ 半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的 Ｇａ Ａｓ 体材料特性进行了对比研究．结果表明，在钙钛矿型结构 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上生长的 Ｇａ Ａｓ 单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性，在带间跃迁的弛豫上，外延薄膜相对体材料大了约５ 倍．This paper reports the molecular beam epitaxy growth of the GaAs single crystal film on the perovskite oxide SrTiO\-3(001) substrate. The photo modulated reflectance spectroscopy and the photoluminescence measurement show that the energy band gap and optical property of the GaAs single crystal film on the SrTiO\-3 substrate is similar to that of the GaAs bulk material and the broadening of band\|to\|band emission of the GaAs epitaxial film is 5 times that of the GaAs single crystal. PACC: 6855; 8110; 8115; 7125

关 键 词：砷化镓 带间跃迁 半导体 单晶 薄膜 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.055