快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰  

Modification of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors by Rapid Thermal Annealing\+*

作　　者：李宁[1] 刘兴权[1] 李娜[1] 陈效双[1] 陆卫[1] 徐文兰[1] 袁先璋[1] 沈学础[1] 黄绮[2] 周均铭[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第3期264-267,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;中澳合作项目

摘　　要：应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8～ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al GaThe post grown tuning of response wavelength of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors (QWIP) by rapid thermal annealing is reported. Initial response wavelength 7 7μm is successfully shifted to 8 4μm. Important properties of QWIP including spectral response, responsibility and dark current are also modified.

关 键 词：量子阱 红外探测器 快速退火 砷化镓 ALGAAS 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]