MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较  

Performance Comparison of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors Grown by MOCVD and MBE

作　　者：李娜[1] 李宁[1] 陆卫[1] 窦红飞[1] 陈张海[1] 刘兴权[1] 沈学础[1] H.H.Tan LanFu C.Jagadish M.B.Johnston M.Gal 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 [2]DepartmentofElectronicMaterialsEngineering [3]SchoolofPhysics

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第5期441-444,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国防科工委重点资助项目

摘　　要：用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 .GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) structure is grown by using Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) and Molecular Beam Epitaxy (MBE). The differences of two kinds of material are compared by photoresponse and photoluminescence spectroscopy. The device performance fabricated by using them are compared from their responsivity and \%I\|V\% characteristic. Peak wavelength of MOCVD QWIP is 7\^9μm and its responsivity could be 6×10\+3V/W.

关 键 词：ALGAAS 量子阱 红外探测器 MOCVD 砷化镓 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN304.23