超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究  

STUDY ON ULTRA THIN AlGaAs LAYER ON GaAs

作　　者：刘兴权[1,2,3] 陆卫[1,2,3] 穆耀明[1,2,3] 乔怡敏 陈效双[1,2,3] 万明芳 查访星[1,2,3] 严立平 沈学础[1,2,3] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所 [2]中国科学院红外物理国家重点实验室 [3]中国高等微结构科技研究中心

出　　处：《物理学报》1997年第8期1613-1617,共5页Acta Physica Sinica

摘　　要：用调制光谱的方法对分子束外延（ＭＢＥ）生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的一组超薄层本征型ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层进行了原位的研究．对厚度在３５ｎｍ以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰，而对厚度在１００ｎｍ的样品只观察到了一个跃迁峰．观察到的各峰随厚度的改变而变化．A Series of samples of ultra thin AlGaAs films grown on GaAs(100) substrate by MBE are studied by photomodulated reflectance (PR)spectroscopy in ultra high vacuum chamber.More than one peak are observed for samples with thickness less than 35nm,but only one peak is observed for 100nm thick sample,The position and width of these peaks change with sample thickness.The experimental results are well explained by step potential model.

关 键 词：量子阱 铝镓砷 MBE 光调制谱 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] O471[理学—半导体物理]