光和热诱导载流子的光电流谱比较研究  

Comparison Study on the Photocurrent Spectra of the Opto-and Thermo-Induced Carriers

作　　者：万明芳[1] 陈效双[1] 窦红飞[1] 陆卫[1] 沈学础[1] 周均铭[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,上海200083 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《量子电子学报》1998年第1期10-14,共5页Chinese Journal of Quantum Electronics

摘　　要：测量了包含有超薄层AlAs／GaAs超晶格的GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光电流谱，比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡越超薄层AlAs势垒的隧穿时间，得到了光电导对外电场的依赖关系。The photocurrent spectra of GaAs/AlGaAs multiple quantum wells with superthin layer AlAs/GaAs superlattice are investigated by the photomodulated reflectionspectroscopy. By comparison study on the tunneling time of the opto-and thermo-inducedcarriers through the superthin layer AlAs potential, the dependence of the photoconductance on electric fields has been obtained.

关 键 词：光电流谱 隧穿时间 多量子阱结构 材料 

分 类 号：TN201[电子电信—物理电子学]