奚中和

作品数：14被引量：59H指数：4
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发文主题：硅半导体材料底面硅表面金字塔形更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《物理学报》《大学物理》《真空科学与技术学报》更多>>
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石墨基底上垂直生长碳纳米管为芯的碳锥结构被引量：3
《物理学报》2007年第12期7165-7169,共5页张暐 奚中和 薛增泉 
国家自然科学基金(批准号:60771004);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB932402);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA05Z107)资助的课题.~~
采用一种改进的化学气相沉积方法,成功地在石墨基底上自组装生长出以碳锥为支撑的、碳纳米管为芯的新型功能材料.该结构的材料可以用作扫描电子显微镜探针和场发射电子显微镜的针尖.利用电子显微镜研究了不同合成条件对该碳纳米管与碳...
关键词：碳锥 碳纳米管 化学气相沉积 场发射 
新型纳米功能材料被引量：4
《真空》2004年第1期1-8,共8页薛增泉 奚中和 邢英杰 张耿民 宋教花 申自勇 侯士敏 高崧 赵兴钰 张琦锋 刘惟敏 吴锦雷 
讨论了纳米材料复合薄膜的结构和特性 ,涉及到与力学、防护、电池等特性有关的结构 ,重点分析了电学、光学、光电特性 ,如新型纳米线复合光电池 ,氧化锌 (Zn O)纳米棒阵列的结构和荧光发射 ,以及金属纳米线阵列的制备和场发射特性。金...
关键词：纳米功能材料 电学特性 光学特性 光电特性 显示器 
类单晶氧化锌纳米棒的制备与表征被引量：13
《真空科学与技术学报》2004年第1期16-18,共3页张旭东 邢英杰 奚中和 薛增泉 张蔷 俞大鹏 
国家自然科学基金资助课题 (No .60071015;No.60 2 3 10 10);973项目:No .2 0 0 1CB610 5 0 3
用简单的无催化剂、高温热蒸发方法制备氧化锌纳米棒 ,得到了具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米棒 ,长度为 (1- 5 ) μm ,直径约几十纳米。测量了ZnO纳米棒的光致发光特性。讨论了实验条件对纳米棒生长结果的影响 。
关键词：类单晶氧化锌纳米棒 制备工艺 晶体结构 光致发光特性 生长机理 半导体 
硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究被引量：8
《电子与信息学报》2003年第2期259-262,共4页邢英杰 奚中和 俞大鹏 杭青岭 严涵斐 冯孙齐 薛增泉 
国家自然科学基金(No.60071015)
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体....
关键词：硅纳米线 SLS生长机制 升温特性 一维纳米材料 制备方法 
a-Si:H光导成像器件
《世界产品与技术》2000年第6期28-30,共3页奚中和 
利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。 一、a-Si:H静电成像器件 静电成像技术有广泛的应用,如用于传真印刷、计算机数据记录等自动化终端设备中...
关键词：a-Si:H膜 光成像器件 摄像管 
磷掺杂纳米硅薄膜的研制被引量：12
《物理学报》2000年第5期983-988,共6页刘明 王子欧 奚中和 何宇亮 
国家自然科学基金!(批准号 :193 740 0 9)资助的课题&&
用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为...
关键词：磷掺杂纳米硅 薄膜 PECVD STM 
用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应被引量：1
《电子科学学刊》1999年第5期686-691,共6页海宇涵 海灏 奚中和 张蔷 
国家自然科学基金(批准号 69676016)
测量了缝电极和梳形电极ａ－Ｓｉ：Ｈ样品的光伏安特性和光电灵敏度，撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法，由此法测现的ａ－Ｓｉ：Ｈ的电荷放大增益，在１０＾５Ｖ／ｃｍ电场下，高达４．３×１０＾３、本文从能态图讨论了ａ－Ｓｉ...
关键词：非晶硅 电荷放大效应 光电灵敏度法 
nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析被引量：5
《Journal of Semiconductors》1998年第8期583-590,共8页彭英才 刘明 余明斌 李月霞 奚中和 何宇亮 
国家自然科学基金;河北省自然科学基金
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反...
关键词：半导体量子点 量子点二极管 共振隧穿特性 
纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象被引量：1
《半导体杂志》1998年第1期1-9,共9页何宇亮 奚中和 余明斌 李月霞 彭英才 刘明 
国家自然科学基金
利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（＜１００Ｋ）在其σＶ、ＩＶ及ＣＶ特性曲线上呈现出共振隧穿峰、库仑台阶和量子振荡现象。说明，对无序分布着的量子点阵列，只要其粒子尺寸足够...
关键词：纳米硅 量子功能 共振隧道 薄膜二极管 
分子物理学教学改革初探被引量：1
《大学物理》1997年第10期43-44,F003,共3页奚中和 
国家教委面向21世纪教学内容和体系改革研究资助
讨论了分子物理学教改的一些紧迫问题，介绍了在教学内容的现代化和结构体系的合理化等方面的尝试以及教学方法的探索．
关键词：分子物理系 教学改革 大学物理 教材 
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