用于HEMT的调制掺杂材料的研制  

作　　者：郑海群[1] 孙殿照 阎春辉 梁基本 曾一平 孔梅影 

机构地区：[1]中国科学院半导体所,北京100083

出　　处：《半导体情报》1991年第6期13-15,共3页Semiconductor Information

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。

关 键 词：三元化合物 半导体材料 HEMT 掺杂 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]