晶格匹配型单量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半导体电极的光电化学行为  

作　　者：刘尧[1] 肖绪瑞[1] 李学萍[1] 阎春辉 曾一平[2] 孙殿照[2] 郑海群[2] 国红熙 

机构地区：[1]中国科学院感光化学研究所,北京100101 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《科学通报》1994年第16期1493-1496,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超晶格(量子阱)能带的量子化,因此具有许多完全不同于体材料的新特性,如其量子阱中的激子受到阱宽的限制不仅寿命长于相应的体材料,而且有较强的光吸收性能;量子阱中光生热载流子的能量驰豫明显慢于体材料,具有较长的热载流子寿命,大大增强了热载流子效应以及其载流子迁移率大于体材料等.这些特性都有利于提高光能的转换效率.本文研究了晶格匹配型单量子阱GaAs/Al_xGa_(1-x)

关 键 词：光电极 砷化镓 铝镓砷 半导体 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]