黄运衡

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：分子束外延砷化镓GAAS半导体GAASSB更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《Journal of Semiconductors》更多>>
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GaN材料的GSMBE生长被引量：1
《高技术通讯》1997年第3期1-3,共3页王晓亮 孙殿照 李晓兵 黄运衡 朱世荣 曾一平 李晋闽 孔梅影 林兰英 
863计划资助
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发...
关键词：氮化镓 分子束外延 蓝宝石 半导体 外延生长 
分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1994年第10期665-669,共5页阎春辉 郑海群 范缇文 孔梅影 曾一平 黄运衡 朱世荣 孙殿照 
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合...
关键词：分子束外延 半导体材料 砷化镓 界面失配 GAASSB 
金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs
《高技术通讯》1992年第6期12-16,共5页阎春辉 孙殿照 国红熙 朱世荣 黄运衡 李晓兵 曾一平 孔梅影 
关键词：分子束 外延 半导体 砷化镓 
MBE裂解炉的设计
《半导体情报》1991年第6期86-88,共3页黄运衡 孙殿照 孔梅影 
裂解炉是喷射炉衍生出来的一种新型分子束源,它能改进外延材料的质量。本文将介绍裂解炉的设计、性能和实验结果。
关键词：分子束外延 设备 裂解炉 设计 改装 
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