金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs  

The Growth of GaAs by MOMBE

作　　者：阎春辉 孙殿照[1] 国红熙 朱世荣[1] 黄运衡[1] 李晓兵[1] 曾一平[1] 孔梅影[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《高技术通讯》1992年第6期12-16,共5页Chinese High Technology Letters

关 键 词：分子束 外延 半导体 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]