分子束

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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究
《原子与分子物理学报》2025年第3期77-84,共8页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结...
关键词：MBE Ga原子团簇 Ga源温度 沉积时长 退火时长 
低缺陷3 in中波InAs/InAsSb材料分子束外延工艺研究
《红外》2025年第4期11-19,共9页闫勇 周朋 游聪娅 刘铭 胡雨农 金姝沛 
通过改变材料源的束流大小和材料生长温度对3 in数字合金(Digital Alloy,DA)-nBn型InAs/InAs_(1-x)Sb x Ⅱ类超晶格材料进行分子束外延工艺研究。结果表明,当Sb束流大小为3×10^(-7)torr、生长温度为470℃时生长的材料质量最好,材料表...
关键词：分子束外延 InAs/InAsSb GaSb衬底 
基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究
《原子与分子物理学报》2025年第2期79-84,共6页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇...
关键词：分子束外延 Bi原子团簇 生长温度 沉积时长 经典成核理论 晶体生长动力学 
超声分子束注入对J-TEXT装置等离子体边缘流和湍流的影响
《核技术》2025年第4期90-98,共9页谢耀禹 赵开君 张国书 杨州军 陈志鹏 陈忠勇 程钧 胡莹欣 温思宇 丁肖冠 任璐璐 李佳鑫 段龙 王璐 
国家自然科学基金(No.12075057);江西省科技厅重点研发计划项目(No.20192ACB80006);江西省"双千"创新领军人才计划项目(No.DHSQT22021001)资助。
超声分子束注入是磁约束聚变装置常用的补充加料手段之一,并对等离子体流和湍流产生重要影响。实验在J-TEXT装置上开展,采用三台阶朗缪尔探针阵列,在欧姆放电氢等离子体中观测了超声分子束注入对边缘流和湍流的影响。结果表明:超声分子...
关键词：托卡马克 超声分子束注入 边缘流和湍流 朗缪尔探针 
晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池
《半导体技术》2025年第4期365-371,共7页蒋卓宇 李娟 孔祥力 代盼 孙强健 
中国长江电力股份有限公司、三峡电能有限公司科研项目(Z152302052/Z612302016)。
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起...
关键词：分子束外延(MBE) INGAAS GAAS 晶圆键合 双结太阳电池 
锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展
《半导体技术》2025年第3期229-240,共12页胡德鹏 王红真 路云峰 贺训军 
国家自然科学基金(62075052)。
锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长...
关键词：锑化物 半导体 分子束外延(MBE) 能带结构 生长工艺 
原子吸收光谱在线束流监控技术在分子束外延中的应用及研究进展
《功能材料与器件学报》2025年第1期11-21,共11页张庆凌云 陈意桥 
国家自然科学基金资助项目(No.E23JTA1J01)。
本文在简要回顾原子吸收光谱技术发展历史的基础上,总结概括了应用于分子束外延中束流原位实时监控的原子吸收光谱系统结构,并对搭建该系统所需关键部件的选型和参数进行了综述。同时,本文还归纳了原子吸收光谱的背景参比方法、误差来...
关键词：原子吸收光谱 分子束外延 光学束流监测 原位表征 实时束流监控 
富加镓业氧化镓外延片经二轮器件验证,性能具有显著国际竞争优势
《人工晶体学报》2024年第12期2205-2205,共1页齐红基 
近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在第一轮器件验证基础上,优化分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)工艺,大幅提升外延片性能,基于此外延片研制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)横向功率器件,其电流密度提...
关键词：外延片 分子束外延 氧化镓 比导通电阻 半导体材料 国际竞争优势 国家重点研发计划 富加 
分子束外延中波/中波双色HgCdTe材料研究
《红外》2024年第9期1-6,共6页李震 王丹 邢伟荣 王丛 周睿 折伟林 
国家自然科学基金项目(61971395,52075519)。
采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)法制备了高质量的npn型中波/中波双色HgCdTe材料。利用傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Spectrometer,FTIR)、二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)、X射...
关键词：HGCDTE 表面缺陷 原位掺杂 
纤锌矿结构砷化镓纳米线中的深能级缺陷研究
《量子电子学报》2024年第4期671-678,共8页乔旭冕 李新化 谷毛毛 龚书磊 弓紫燕 吴超可 吴超 赵雷鸣 
安徽省首批揭榜性质课题(2021e03020007);安徽省重点研究与开发计划项目(202104a05020048)。
深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了...
关键词：光电子学 光电导 纤锌矿结构砷化镓 深能级缺陷 分子束外延 
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