李晓兵

作品数：7被引量：7H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：分子束外延GSMBE生长GSMBE气态源分子束外延半导体更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《高技术通讯》更多>>
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GaN压电效应对载流子浓度的影响
《Journal of Semiconductors》1998年第7期498-502,共5页张剑平 王晓亮 孙殿照 李晓兵 付荣辉 孔梅影 
在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．
关键词：半导体 氮化镓 压电效应 载流子浓度 
GaN材料的GSMBE生长被引量：1
《高技术通讯》1997年第3期1-3,共3页王晓亮 孙殿照 李晓兵 黄运衡 朱世荣 曾一平 李晋闽 孔梅影 林兰英 
863计划资助
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发...
关键词：氮化镓 分子束外延 蓝宝石 半导体 外延生长 
MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第9期641-645,共5页董建荣 李晓兵 孙殿照 陆大成 李建平 孔梅影 王占国 
用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生...
关键词：MOCVD GSMBE GaInP层 外延生长 有序结构 
气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第1期6-10,共5页袁瑞霞 阎春辉 国红熙 李晓兵 朱世荣 曾一平 李灵霄 孔梅影 
"国家高技术"资助
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的Ｉｎ...
关键词：磷化铟 砷化铟 分子束外延 气态源 化合物材料 
InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第10期725-729,共5页孙殿照 王晓亮 李晓兵 国红熙 阎春辉 李建平 朱世荣 李灵霄 曾一平 孔梅影 侯洵 
在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长...
关键词：INGAAS 磷化铟 超晶格材料 GSMBE生长 
气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第5期312-316,共5页袁瑞霞 阎春辉 国红熙 李晓兵 朱世荣 李灵肖 曾一平 孔梅影 
国家高技术新材料领域资助
我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴...
关键词：可见光激光器 分子束外延 气态源 
金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs
《高技术通讯》1992年第6期12-16,共5页阎春辉 孙殿照 国红熙 朱世荣 黄运衡 李晓兵 曾一平 孔梅影 
关键词：分子束 外延 半导体 砷化镓 
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