InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究  

Study on GSMBE Growth of InGaAs/InP Superlattice Materials

作　　者：孙殿照[1] 王晓亮[1] 李晓兵[1] 国红熙 阎春辉 李建平[1] 朱世荣[1] 李灵霄[1] 曾一平[1] 孔梅影[1] 侯洵[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所,中国科学院西安光机所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第10期725-729,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．Abstract This paper reports for the first time in China the successful growth of InGaAs/InP nonstrained and strained layer superlattices with 40 periods on (100) InP substrates by GSMBE method using the first China-made CBE system. The samples have been characterized by high-resolution X-ray diffractometer,and in composition in the InGaAs well layers has been calculated. The results show that the supperlattices have a high quality.

关 键 词：INGAAS 磷化铟 超晶格材料 GSMBE生长 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]