GSMBE生长

作品数：19被引量：30H指数：3
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GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器
《半导体技术》2008年第9期762-765,共4页何焜 龚谦 李世国 李健 
国家自然科学基金资助项目(60576009)
报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构。AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆盖表层量子点样品呈现出不均匀的多模尺寸分布。制作了脊条宽为6μm,腔长为1.5 mm的未镀膜激光器器件,...
关键词：自组织 量子点 量子点激光器 多纵模 气态源分子束外延 
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1765-1768,共4页孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 朱福英 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金(批准号:60676062)资助项目~~
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的...
关键词：异质结双极晶体管 INP GAASSB 碳掺杂 气态源分子束外延 
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期182-185,共4页齐鸣 徐安怀 艾立鹍 孙浩 朱福英 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在A...
关键词：InP INGAP GaAs GSMBE HBT 
InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究被引量：5
《稀有金属》2004年第3期516-518,共3页徐安怀 邹璐 陈晓杰 齐鸣 
国家"973"计划资助项目 (G2 0 0 0 0 683 0 4;2 0 0 2CB3 119)
本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格...
关键词：分子束外延 异质结双极晶体管 INGAAS InP 
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
《固体电子学研究与进展》2003年第2期142-144,共3页黄大定 刘超 李建平 高斐 孙殿照 朱世荣 孔梅影 
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有...
关键词：GSMBE SiGe/Si材料 原位掺杂 控制技术 气源分子束外延 异质结双极晶体管 锗硅合金材料 
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1035-1037,共3页邹德恕 徐晨 陈建新 史辰 杜金玉 高国 沈光地 黄大定 李建平 林兰英 
国家"8 63"高技术计划 ( No.863 -3 0 7-1 5 -4 );国家自然科学基金 ( No.698760 0 4);国家自然科学基金重大项目 ( No.69892 60 -
用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计。
关键词：气态源分子束外延 异质结晶体管 GSMBE生长 HBT 异质结构材料 
GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第1期40-46,共7页柏劲松 方祖捷 张云妹 张位在 陈高庭 李爱珍 陈建新 
中国科学院"九五"基础性研究重大项目资助 !( KJ95 1-81-70 6 -0 6)&&
报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82...
关键词：GSMBE生长 中红外波段 应变量子阱激光器 INGAAS/INGAASP 砷化镓 
GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究
《固体电子学研究与进展》2000年第4期407-413,共7页陈晓杰 陈建新 陈意桥 彭鹏 李爱珍 
"九五"电子预研项目!DY9560 80 3 0 51 7资助课题
采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和...
关键词：异质结双检晶体管 砷化镓 GSMBE 微结构材料 
GSMBE生长的高质量氮化镓材料被引量：6
《Journal of Semiconductors》2000年第7期723-725,共3页孙殿照 王晓亮 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 侯洵 林兰英 
使用 NH3作氮源 ,采用 GSMBE方法在 ( 0 0 0 1 ) Al2 O3衬底上生长出了高质量的 Ga N单晶外延膜 .1 .2 μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为 6′,室温电子迁移率为 30 0 cm2 /( V· s) ,背景电子浓度约...
关键词：氮化镓 分子束外延 GSMBE 
GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第12期896-902,共7页刘学锋 刘金平 李建平 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英 
国家"九五"攻关项目
用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６...
关键词：GSMBE 硅 硅化锗 掺杂 外延生长 
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