GSMBE生长的高质量氮化镓材料  

High Quality GaN Grown by GSMBE

作　　者：孙殿照[1] 王晓亮[1] 王军喜[1] 刘宏新[1] 刘成海[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 侯洵[2] 林兰英[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料中心,北京100083 [2]中国科学院西安光学与精密机械研究所,西安710069

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第7期723-725,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：使用 NH3作氮源 ,采用 GSMBE方法在 ( 0 0 0 1 ) Al2 O3衬底上生长出了高质量的 Ga N单晶外延膜 .1 .2 μm厚的 Ga N外延膜的 ( 0 0 0 2 ) X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为 6′,室温电子迁移率为 30 0 cm2 /( V· s) ,背景电子浓度约为 3× 1 0 17cm- 3.High quality unintentionally doped GaN epilayers using a home\|made MBE system are obtained.The room temperature Hall mobility of the films is 300cm\+2/(V·s) and the corresponding electron concentration is 3×10 17 cm -3 .The full width at half maximum (FWHM) of the GaN(0002) XRD rocking curve is 6′.These results show that our films are among the highest quality GaN epilayers to date in the world using the same growth technique.

关 键 词：氮化镓 分子束外延 GSMBE 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]