InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究  

Growth and Characterization of InGaAs/InP HBT Structural Materials by GSMBE

作　　者：徐安怀[1] 邹璐[1] 陈晓杰[1] 齐鸣[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《稀有金属》2004年第3期516-518,共3页Chinese Journal of Rare Metals

基　　金：国家"973"计划资助项目 (G2 0 0 0 0 683 0 4;2 0 0 2CB3 119)

摘　　要：本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。The InGaAs/InP HBT structural materials were grown by means of gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) and the properties of the material were studied. The lattice mismatch between InGaAs epilayer and InP substrate is only 4×10^(-4). The electron mobility is 800 cm^2·V^(-2)·s^(-1) when the carrier concentration of InP emitter is 4×10^(17) cm^(-3). The results show that the quality of the materials is high enough to be applied to the device fabrication.

关 键 词：分子束外延 异质结双极晶体管 INGAAS InP 

分 类 号：O47[理学—半导体物理]