柏劲松

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文主题：波段中红外波段量子阱激光器INGAAS/INGAASP应变量子阱激光器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《中国激光》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第2期126-129,共4页柏劲松 方祖捷 张云妹 陈高庭 李爱珍 陈建新 
中国科学院九五基础研究资助项目! (KJ95 1-81-70 6-0 6)&&
GSMBE grown 1 84 micron wavelength InGaAs/InGaAsP/InP strained quantum well lasers are reported. Lasers with 800 micron long cavity and 40 micron wide planar electrical stripe have been operated under the pulsed r...
关键词：GSMBE midinfrared band strained quantum well laser 
GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第1期40-46,共7页柏劲松 方祖捷 张云妹 张位在 陈高庭 李爱珍 陈建新 
中国科学院"九五"基础性研究重大项目资助 !( KJ95 1-81-70 6 -0 6)&&
报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82...
关键词：GSMBE生长 中红外波段 应变量子阱激光器 INGAAS/INGAASP 砷化镓 
1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器被引量：2
《半导体光电》2000年第5期355-357,362,共4页柏劲松 陈高庭 张云妹 方祖捷 李爱珍 郑燕兰 林春 
国家 8 63计划资助项目!(715 - 0 0 1- 0 142 )
报道了 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果 ,器件在 77K下以脉冲方式工作 ,阈值电流约 2 5mA ,中心波长约 1.84 μm。
关键词：量子阱激光器 台面条形结构 InGaAsSb/AlGaAsSb 
2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器被引量：3
《中国激光》1998年第12期1069-1072,共4页陈高庭 柏劲松 张云妹 耿建新 方祖捷 李爱珍 郑燕兰 林春 
国家863(715-001-0142)支持项目
报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。
关键词：中红外波段 激光器 量子阱材料 MBE生长 
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