2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器  

A 2 μm Waveband InGaAsSb/AlGaAsSb Wide Stripe MQW Diode Laser

作　　者：陈高庭[1] 柏劲松[1] 张云妹 耿建新[1] 方祖捷[1] 李爱珍[2] 郑燕兰[2] 林春[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光机所 [2]中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室

出　　处：《中国激光》1998年第12期1069-1072,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家863(715-001-0142)支持项目

摘　　要：报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。The performance of a wide stripe InGaAsSb/AlGaAsSb MQW diode laser grown by MBE is reported. Output pulse power of the laser diode at room temperature is 83 mW, the threshold current is 250 mA, and the typical peak wavelength is about 2.00 μm.

关 键 词：中红外波段 激光器 量子阱材料 MBE生长 

分 类 号：TN243[电子电信—物理电子学] TN244