GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength  

GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器(英文)

作　　者：柏劲松[1] 方祖捷[1] 张云妹 陈高庭[1] 李爱珍[2] 陈建新[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室信息光电子技术研究室,上海201800 [2]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第2期126-129,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院九五基础研究资助项目! (KJ95 1-81-70 6-0 6)&&

摘　　要：GSMBE grown 1 84 micron wavelength InGaAs/InGaAsP/InP strained quantum well lasers are reported. Lasers with 800 micron long cavity and 40 micron wide planar electrical stripe have been operated under the pulsed regime at room temperature. At 20℃, the threshold current density is 3 8kA/cm 2 and the external different quantum efficiency is 9 3%.报道了 GSMBE方法生长波长 1.84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 . 40 μm条宽、 80 0 μm腔长的平面电极条形结构器件 ,室温下以脉冲方式激射 ,2 0℃下阈值电流密度为 3.8k A/ cm2 ,外微分量子效率为9.3%

关 键 词：GSMBE midinfrared band strained quantum well laser 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]