1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器  

1.8 μm Mesa-stripe InGsSb/AlGsSb Quantum Well Lasers

作　　者：柏劲松[1] 陈高庭[1] 张云妹 方祖捷[1] 李爱珍[2] 郑燕兰[2] 林春[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 [2]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《半导体光电》2000年第5期355-357,362,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家 8 63计划资助项目!(715 - 0 0 1- 0 142 )

摘　　要：报道了 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果 ,器件在 77K下以脉冲方式工作 ,阈值电流约 2 5mA ,中心波长约 1.84 μm。The performance of mesa-stripe InGsSb/AlGsSb MQW lasers grown by M BE is reported. The threshold current of the lasers is about 25 mA at 77 K with central wavelength of 1.84 μm.

关 键 词：量子阱激光器 台面条形结构 InGaAsSb/AlGaAsSb 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]