GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料  

SiGe/Si Material Grown by GSMBE

作　　者：邹德恕[1] 徐晨[1] 陈建新[1] 史辰[1] 杜金玉[1] 高国[1] 沈光地[1] 黄大定[2] 李建平[2] 林兰英[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]中国科学院半导体研究所材料中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第8期1035-1037,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"8 63"高技术计划 ( No.863 -3 0 7-1 5 -4 );国家自然科学基金 ( No.698760 0 4);国家自然科学基金重大项目 ( No.69892 60 -

摘　　要：用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计。The Si/SiGe/Si structures used in hetrojunction bipolar transistor(HBT) are grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy (GS MBE).The SiGe/Si HBT are fabricated with double mesa structure by usin g the emitter of 4μm in width and 4μm×18μm in size.The current gain of 75 an d f T of 20GHz are obtained.The structure design,technology of materi al growth and fabrication of the HBT are described.

关 键 词：气态源分子束外延 异质结晶体管 GSMBE生长 HBT 异质结构材料 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]