硅化锗

作品数：28被引量：21H指数：2
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相关作者：刘恩科李国正李娜刘学锋孔梅影更多>>
相关机构：中国科学院复旦大学西安交通大学清华大学更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》《红外与毫米波学报》更多>>
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GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第3期288-291,共4页张秀兰 朱文珍 黄大定 
通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检...
关键词：电解液 电化学C-V法 硅化锗 载流子浓度 多层异质外延 
亚微米GeSi HBT的物理模型与数值模拟方法被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2000年第1期62-67,共6页吴金 杨廉峰 刘其贵 夏君 魏同立 
国家自然科学基金!6980 60 0 2;江苏省自然科学基金!BK970 0 6
系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 .同时 ,给出了归一化处理后的系统数学模型 ,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论 .
关键词：硅化锗 HBT 输运模型 物理模型 数值模拟 离散 线性化 半导体器件 
CZ法生长GeSi合金晶体
《电子材料快报》1999年第10期6-7,共2页岫林 
关键词：CZ法 生长 硅化锗 合金 晶体 
富Ge GeSi体单晶中浅受主
《电子材料快报》1999年第10期12-13,共2页苏宇欢 
关键词：锗 硅化锗 单晶 
CZ法生长富Si Ge1—xSix合金体单晶
《电子材料快报》1999年第4期2-3,共2页苏宇欢 
关键词：CZ法 生长 硅 硅化锗 合金 单晶 
μ—PD工艺生长GexSi1—x纤维单晶
《电子材料快报》1999年第2期15-16,共2页未休 
关键词：μ-PD 硅化锗 纤维单晶 生长 
GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第12期896-902,共7页刘学锋 刘金平 李建平 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英 
国家"九五"攻关项目
用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６...
关键词：GSMBE 硅 硅化锗 掺杂 外延生长 
GeSi材料及其在数据转换器中的应用被引量：1
《微电子学》1998年第4期243-246,共4页李开成 孙微风 张静 文尧 黄燕 
ＧｅＳｉ材料是继Ｓｉ和ＧａＡｓ之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了ＧｅＳｉ材料生长技术的发展、基本特性以及ＧｅＳｉ器件的研究状况，给出了ＧｅＳｉ材料在数据转换器方面的应用成果。
关键词：异质结 双极晶体管 数据转换器 硅化锗 
Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格PIN探测器的研制被引量：2
《Journal of Semiconductors》1998年第8期597-602,共6页万建军 李国正 李娜 许雪林 刘恩科 
国家自然科学基金
本文对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格ＰＩＮ探测器进行了分析和设计（其中ｘ＝０．６），并制作出了相应的器件．对典型器件的测试结果表明，在１．３μｍ光照下，反偏电压为－５Ｖ时，光响应电流为２．６μＡ，暗电流为４００ｎＡ...
关键词：硅 硅化锗 应变超晶格 PIN控制器 
CZ法生长Ge1—xSix合金体单晶
《电子材料快报》1998年第6期12-13,共2页义仡 
关键词：CZ法 硅化锗 合金 单晶 生长 
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