亚微米GeSi HBT的物理模型与数值模拟方法  

Analysis of Physical Models and Numerical Simulation for Submicron GeSi HBT

作　　者：吴金[1] 杨廉峰[1] 刘其贵 夏君 魏同立 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096

出　　处：《东南大学学报（自然科学版）》2000年第1期62-67,共6页Journal of Southeast University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金!6980 60 0 2;江苏省自然科学基金!BK970 0 6

摘　　要：系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 .同时 ,给出了归一化处理后的系统数学模型 ,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论 .This paper analyzes the carrier non local transport model of small size semiconductor devices and studies the influences of nonsymmetrical band structure and heterogeneous effect on emphasis. And for the numerical simulation, this paper presents the unitary mathematical model and discusses some problems in the simulation process, such as the boundary conditions, parameter models, discretigation of nonlinear equations and its linearization, etc.

关 键 词：硅化锗 HBT 输运模型 物理模型 数值模拟 离散 线性化 半导体器件 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]