GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布  

Distribution of Carriers in GeSi/Si Multiple Hetero-Epilayers

作　　者：张秀兰[1] 朱文珍[1] 黄大定[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第3期288-291,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 。A new kind of electrolyte, NH 4F·HF+HCl, with a good electrochemical interface between it and the surface of Ge x Si 1-x alloy has been determined experimentally.With this kind of electrolyte,the vertical distribution of carriers in Ge x Si 1-x multiple hetero epilayers can be measured using an electrochemical C V profiler,which has been proved by the results to be of quite good reproducibility and reliability.

关 键 词：电解液 电化学C-V法 硅化锗 载流子浓度 多层异质外延 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]