陈晓杰

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文主题：GAALGAAS/GAASAL电子器件太阳能电池更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《半导体光电》《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究被引量：3
《半导体光电》2000年第5期339-341,345,共4页陈晓杰 李爱珍 王嘉宽 胡雨生 汪乐 
8 63航天领域课题资助项目!(863- 2 - 4- 6- 2A)
报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分别在 4 50℃和 3 50℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4 OH :H2 O2 :H3PO4 :H2 O体系的选择性腐蚀液去...
关键词：太阳能电池 ALGAAS/GAAS 工艺优化 电子器件 
GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究
《固体电子学研究与进展》2000年第4期407-413,共7页陈晓杰 陈建新 陈意桥 彭鹏 李爱珍 
"九五"电子预研项目!DY9560 80 3 0 51 7资助课题
采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和...
关键词：异质结双检晶体管 砷化镓 GSMBE 微结构材料 
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