气态源分子束外延(AlGa)InP和GaInP/AlInP多量子阱材料  被引量:1

(AlGa) InP and GaInP/AlInP Multiple Quantum Wells Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

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作  者:袁瑞霞[1] 阎春辉 国红熙 李晓兵[1] 朱世荣[1] 李灵肖[1] 曾一平[1] 孔梅影[1] 

机构地区:[1]中国科学院半导体所

出  处:《Journal of Semiconductors》1994年第5期312-316,共5页半导体学报(英文版)

基  金:国家高技术新材料领域资助

摘  要:我们用国产第一台化学束外延(CBE)系统,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术研制了与GaAs匹配的,性能良好的(AlGa)InP材料和GalnP/AlInP多量子阱材料.对这些材料进行了霍耳,光致发光(PL),阴极荧光(CL)以及X射线双晶衍射(XRD)等测量分析.Abstract Good quality(AlxGa1-x) InP(x=0, 0.25, 0.5, and 1) layers and GaIuP/AlInP multiple quantum well structures(MQWS) were grown by gas source molecular beam epitaxy(GSMBE) and characterized by photoluminescenc.(PL), double crystal X ray diffraction(XRD) and Hall measurement.

关 键 词:可见光激光器 分子束外延 气态源 

分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]

 

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