检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:袁瑞霞[1] 阎春辉 国红熙 李晓兵[1] 朱世荣[1] 李灵肖[1] 曾一平[1] 孔梅影[1]
机构地区:[1]中国科学院半导体所
出 处:《Journal of Semiconductors》1994年第5期312-316,共5页半导体学报(英文版)
基 金:国家高技术新材料领域资助
摘 要:我们用国产第一台化学束外延(CBE)系统,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术研制了与GaAs匹配的,性能良好的(AlGa)InP材料和GalnP/AlInP多量子阱材料.对这些材料进行了霍耳,光致发光(PL),阴极荧光(CL)以及X射线双晶衍射(XRD)等测量分析.Abstract Good quality(AlxGa1-x) InP(x=0, 0.25, 0.5, and 1) layers and GaIuP/AlInP multiple quantum well structures(MQWS) were grown by gas source molecular beam epitaxy(GSMBE) and characterized by photoluminescenc.(PL), double crystal X ray diffraction(XRD) and Hall measurement.
分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]
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