张剑平

作品数：3被引量：13H指数：2
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GSMBE氮化镓GAN电子输运GSMBE生长更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GSMBE GaN膜的电子输运性质研究被引量：7
《Journal of Semiconductors》1998年第12期890-895,共6页王晓亮 孙殿照 孔梅影 张剑平 曾一平 李晋闽 林兰英 
国家"九五"重点科技攻关计划;博士后科学基金
用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１...
关键词：氮化镓 GSMBE 电子输动性质 
GaN压电效应对载流子浓度的影响
《Journal of Semiconductors》1998年第7期498-502,共5页张剑平 王晓亮 孙殿照 李晓兵 付荣辉 孔梅影 
在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．
关键词：半导体 氮化镓 压电效应 载流子浓度 
高质量GaN材料的GSMBE生长被引量：6
《Journal of Semiconductors》1997年第12期935-938,共4页王晓亮 孙殿照 孔梅影 张剑平 付荣辉 朱世荣 曾一平 李晋闽 林兰英 
国家"九五"重点科技攻关计划及博士后科学基金
在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；...
关键词：氮化镓 GSMBE 外延生长 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部