气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料  

InP and InAs Based Ⅲ-Ⅴ Compound Materials Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy

作　　者：袁瑞霞[1] 阎春辉 国红熙 李晓兵[1] 朱世荣[1] 曾一平[1] 李灵霄[1] 孔梅影[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第1期6-10,共5页半导体学报（英文版）

基　　金："国家高技术"资助

摘　　要：本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．Abstract We report on the growth and properties of the InAs and InP based Ⅲ-Ⅴ compounds grown in our laboratory by gas source molecular beam epitaxy technique (GSMBE)using the first China-made chemical beam epitaxy(CBE) system. These grown materials are the lattice-matched Iny (Ga1-xAlx)1-yP (x = 0￣1, y≈0. 50) , InGaP/InAlP multiple quantum wells (MQWs)on GaAs (100) substrates, the lattice-matched Inp, InGaAs, InGaAs/InAlAs high electron mobility transistor (HEMT) structures, InGaAs/InP MQWs and the strained-layer In(AsP)/InP MQWs on InP(100) substrates.

关 键 词：磷化铟 砷化铟 分子束外延 气态源 化合物材料 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]