MBE裂解炉的设计  

作　　者：黄运衡[1] 孙殿照 孔梅影 

机构地区：[1]中国科学院半导体所,北京100083

出　　处：《半导体情报》1991年第6期86-88,共3页Semiconductor Information

摘　　要：裂解炉是喷射炉衍生出来的一种新型分子束源,它能改进外延材料的质量。本文将介绍裂解炉的设计、性能和实验结果。

关 键 词：分子束外延 设备 裂解炉 设计 改装 

分 类 号：TN405.984[电子电信—微电子学与固体电子学]