李瑞钢

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：砷化镓分子束外延分子束外延生长GAAS二次电光效应更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《功能材料》更多>>
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低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第9期654-659,共6页周凯明 李江 李乙钢 郭儒 张光寅 潘士宏 李瑞钢 朱战平 梁基本 
国家自然科学基金
本文研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质．我们测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质．对两种方法得到的电吸收和电...
关键词：砷化镓 分子束外延生长 二次电光效应 
低温分子束外延GaAS薄膜的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第5期317-321,共5页邓航军 范缇文 王占国 梁基本 朱战萍 李瑞钢 
我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后...
关键词：分子束外延 砷化镓 薄膜 
GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE　GaAs缓冲层的改进设计
《固体电子学研究与进展》1994年第1期28-31,共4页李瑞钢 綦素琴 王占国 
简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利...
关键词：比较器 分子束外延 砷化镓 
低温分子束外延生长GaAs材料及相关器件研究进展
《功能材料》1993年第3期269-276,共8页李瑞钢 王占国 梁基本 范提文 邓航军 林兰英 
本文概括了低温分子束外延GaAs(LT MBE GaAs)材料的发展历史及国内外的最新研究状况。简单介绍了这种材料在器件方面的应用及其性质的理论研究进展。针对此种材料研究中尚需解决的一些问题进行了讨论,并就国内现有基础分析了此项研究的...
关键词：低温 分子束 砷化镓 外延生长 
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