GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE　GaAs缓冲层的改进设计  

GaAs Very High Speed Voltage Comparator and a New Design by Means of LT MBE GaAs Buffer Layer

作　　者：李瑞钢[1] 綦素琴 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,河北半导体研究所,砷化镓超高速集成电路研究室

出　　处：《固体电子学研究与进展》1994年第1期28-31,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。The paper presents breifly the current development of the techniquefor GaAs very high speed voltage comparator. The submicrometer GaAs MESFETprocessing technique is employed. The high performance device has sampling-holding frequence of 1. 0 GHz,power dissipation of 274 mW and voltage resolution of 11. 3 mV. A new design for the circuit by means of a buffer layer grown by low temperature molecular beam epitaxy GaAs(LT MBE GaAs) is given in the end.

关 键 词：比较器 分子束外延 砷化镓 

分 类 号：TP342.2[自动化与计算机技术—计算机系统结构]