高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究  

Optimization of Structure Parameters of High Mobility GaAs/Al_xGa_(1-x)As Two Dimensional Electron Gas(2DEG) Heterostructure

作　　者：杨斌[1] 王占国[1] 陈涌海[1] 梁基本[1] 廖奇为 林兰英[1] 朱战萍[1] 徐波[1] 李伟[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所半导体材料科学研究实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第9期706-710,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．Abstract Adopting triangular quantum well approximation,we considered the main seven scattering mechanisms in GaAs/AlxGa(1-x)As two-dimensional electron gas (2DEG) heterostructure and calculated the dependence of electron mobility on spacer width d and Al composition x,in the mean time,we optimized the structure parameters of GaAs/AlxGa(1-x)As 2DEG heterostructure. To the author's knowledge,this is the first report concerning with the calculated dependence of 2DEG mobility on Al composition which is in good agreement with experiments.

关 键 词：砷化镓 ALGAAS 高电子迁移率 异质结 参数优化 

分 类 号：TN304.203[电子电信—物理电子学]