刘会云

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：INAS/GAAS量子点发光特性快速热退火分子束外延激光器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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Effects of Interdiffusion on Luminescence of InAs/GaAs Quantum Dots Covered by InGaAs Overgrowth Layer
《Journal of Semiconductors》2001年第6期684-688,共5页魏永强 刘会云 徐波 丁鼎 梁基本 王占国 
国家自然科学基金;国家先进材料委员会资助项目&&
WT8.BZ]The effects of postgrowth rapid thermal annealing have been studied on the optical properties of 3-nm-height InAs/GaAs quantum dots covered by 3-nm-thick In xGa 1-x As (x=0,0 1 and 0 2) overgrowth layer...
关键词：rapid thermal annealing InAs quantum dots InGaAs overgrowth layer 
量子点激光器及其应用研究被引量：2
《高技术通讯》2000年第4期91-93,共3页梁基本 徐波 龚谦 韩勤 周伟 姜卫红 刘会云 王占国 
国家自然科学基金!(69576026);863计划!(7150140010)资助项目
报道了用分于束外延生长出自组装垂直耦合InAs/GaAs大功率量子点激光器(QDLaser)材料和器件。对腔长为 80 0 μm ,室温下和 77K下连续激射阈值电流密度分别为 2 18A/cm2 和 4 9A/cm2 ,波长为 96 0nm ,最大输出功率大于lW。首次报道在0 ...
关键词：激光器 量子点 分子束外延 
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