魏永强

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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Effects of Interdiffusion on Luminescence of InAs/GaAs Quantum Dots Covered by InGaAs Overgrowth Layer
《Journal of Semiconductors》2001年第6期684-688,共5页魏永强 刘会云 徐波 丁鼎 梁基本 王占国 
国家自然科学基金;国家先进材料委员会资助项目&&
WT8.BZ]The effects of postgrowth rapid thermal annealing have been studied on the optical properties of 3-nm-height InAs/GaAs quantum dots covered by 3-nm-thick In xGa 1-x As (x=0,0 1 and 0 2) overgrowth layer...
关键词：rapid thermal annealing InAs quantum dots InGaAs overgrowth layer 
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