大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器  

High Power In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Laser

作　　者：王占国[1] 刘峰奇[1] 梁基本[1] 徐波 丁鼎[1] 龚谦[1] 韩勤[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第8期827-829,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金和国家高技术新材料领域资助项目

摘　　要：利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过Systematic study of molecular beam epitaxy\|grown self\|assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) is demonstrated.Room\|temperature (RT) continuous\|wave(CW) lasing at the wavelength of 960nm with output power more than 3.5W is achieved from vertical coupled In(Ga)As/GaAs QDs ensemble.The RT threshold current density is 218A/cm\+2.A RT CW output power of 0 61W ensures at least 3760 hours lasing (only drops 1 02db).

关 键 词：量子点激光器 砷化镓 分子束外延 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]