立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性  

Asymmetries of stacking faults in MOVPE grown GaN/GaAs(001)

作　　者：沈晓明[1] 渠波[2] 冯志宏[2] 杨辉[2] 

机构地区：[1]广西大学理学院,广西南宁530004 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《广西大学学报（自然科学版）》2002年第3期252-255,共4页Journal of Guangxi University（Natural Science Edition）

基　　金：国家杰出青年科学基金 (6982 5 1 0 7);NSFC-RGC联合基金(5 0 0 1 1 61 95 3;N- HKU0 2 8/ 0 0 )

摘　　要：通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层中的缺陷结构进行了观察和分析 .结果表明 ,在立方 Ga N/Ga As(0 0 1 )外延层中存在很高密度的堆垛层错 .层错密度及其宽度在相互垂直的〈1 1 0〉方向上有明显的差异 .闪锌矿结构中 α位错与This paper investigated the stacking faults (SFs) near the surface of undoped cubic GaN epilayers grown on GaAs(001) by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) using transmission electron microscopy (TEM) and scanning electron microscopy (SEM). It was revealed that both the density and width of SFs lying on (111) A planes were different from that of SFs on (111) B planes, indicating marked asymmetries of SFs in cubic GaN epilayers. The anisotropy was contributed to the different mobilities of the α/β partial dislocations in zincblende structure .

关 键 词：外延层 立方相GAN 透射电子显微镜 堆垛层错 非对称性 半导体材料 氮化钙 缺陷结构 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O474[理学—半导体物理]