用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度  

Reduction of Stacking Fault Density in Cubic GaN Epilayers via Epitaxial Lateral Overgrowth

作　　者：沈晓明[1] 付羿[1] 冯淦[1] 张宝顺[1] 冯志宏[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第10期1093-1097,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 982 5 10 7) ;NSFC-RGC联合基金 ( 5 0 0 116 195 3;NHKU0 2 8/ 0 0 )资助项目~~

摘　　要：尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后 ,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的 5× 10 9cm-2 降低至生长后的 6× 10 8cm-2 .双晶X射线衍射 (DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描 (0 0 2 )衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为 33′和 17 8′ ,表明晶体质量有了较大改善 .对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论 .Epitaxial lateral overgrown (ELOG) cubic GaN (c-GaN) on patterned SiO_2/GaN/GaAs(001) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) is investigated using transmission electron microscope (TEM) and scanning electron microscope (SEM).TEM observations show a substantial reduction of stacking fault density in ELOG c-GaN,compared to that in conventional two-step grown c-GaN.The reduction mechanism of stacking faults in cubic GaN layers via lateral epitaxy is discussed.

关 键 词：层错密度 立方相GAN 侧向外延 SEM TEM ELOG 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]